โมดูลเลเซอร์ไดโอดพลังงานสูง C-Series 878.6nm – 100W
ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ทั่วไป (25 ℃)
| นาที | ทั่วไป | สูงสุด | หน่วย | |
| ออปติคัล | ||||
| กำลังขับตามน้ำหนักจริง | - | 100 | - | W |
| ความยาวคลื่นศูนย์กลาง | - | 878.6±0.5 | - | nm |
| ความกว้างสเปกตรัม (90% ของพลังงาน) | - | <0.5 | - | nm |
| การเปลี่ยนแปลงความยาวคลื่นด้วยอุณหภูมิ | - | 0.02 | - | นาโนเมตร/℃ |
| ไฟฟ้า | ||||
| เกณฑ์ | - | 1.5 | - | A |
| กระแสไฟที่ใช้งาน | - | 12.7 | 14.0 | A |
| แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน | - | 15.8 | 18.0 | V |
| ประสิทธิภาพความลาดชัน | - | 8.8 | - | ว/อ |
| ประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน | 43 | 48 | - | % |
| ไฟเบอร์* | ||||
| เส้นผ่านศูนย์กลางแกนไฟเบอร์ | - | 200/400 | - | มม |
| รูรับแสงตัวเลข | - | 0.22 | - | - |
| ความยาวไฟเบอร์ | - | 1-5 | - | m |
| ตัวเชื่อมต่อไฟเบอร์ | - | - | - | - |
* มีไฟเบอร์และตัวเชื่อมต่อแบบกำหนดเอง
คะแนนสัมบูรณ์
| นาที | สูงสุด | หน่วย | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 15 | 35 | ℃ |
| ความชื้นสัมพัทธ์ในการทำงาน | - | 75 | % |
| โหมดทำความเย็น | - | ระบายความร้อนด้วยน้ำ (25 ℃) | - |
| อุณหภูมิในการจัดเก็บ | -20 | 80 | ℃ |
| ความชื้นสัมพัทธ์ในการจัดเก็บ | - | 90 | % |
| อุณหภูมิการบัดกรีตะกั่ว (สูงสุด 10 วินาที) | - | 250 | ℃ |
คำแนะนำนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นTCS ของ Han ปรับปรุงผลิตภัณฑ์อย่างต่อเนื่อง ดังนั้นอาจเปลี่ยนแปลงข้อมูลจำเพาะโดยไม่ต้องแจ้งให้ลูกค้าทราบ สำหรับรายละเอียด โปรดติดต่อฝ่ายขายของ Han's TCS@2022 Han's TianCheng Semiconductor Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
บริษัท ของเรา
การประชุมเชิงปฏิบัติการของเรา
ใบรับรอง
เขียนข้อความของคุณที่นี่และส่งถึงเรา
