โมดูลเลเซอร์ไดโอดแบบหลายความยาวคลื่น 1064-980-808-640nm
โมดูลเลเซอร์ไดโอดหลายความยาวคลื่น 1064-980-808-640nm ได้รับการออกแบบด้วยเลเซอร์ไดโอดคุณภาพสูงสี่ตัวที่ปล่อยความยาวคลื่นที่แตกต่างกัน 808nm กระตุ้นกระบวนการออกซิเดชันของฮีโมโกลบิน เร่งการผลิต ATP การจัดหาพลังงานที่ถูกต้องส่งเสริมการสร้างเนื้อเยื่อของกล้ามเนื้อและเส้นเอ็น .980nm ถูกดูดซับโดยน้ำเป็นส่วนใหญ่ จึงปรับการทำงานของตัวรับความร้อนและกลไกให้เหมาะสมที่สุดมีการออกแบบที่กะทัดรัดและทนทานซึ่งเหมาะสำหรับใช้ในสภาพแวดล้อมอุตสาหกรรมที่รุนแรงโมดูลเลเซอร์ไดโอดติดตั้งตัวเชื่อมต่อไฟเบอร์ SMA905 ซึ่งช่วยให้สามารถรวมเข้ากับระบบไฟเบอร์ออปติกที่มีอยู่ได้อย่างง่ายดายระบบระบายความร้อนด้วยอากาศช่วยให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่เสถียรและลดต้นทุนการดำเนินงานโดยรวม
ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ทั่วไป (25 ℃)
| ทั่วไป | หน่วย | ||||||||||
| ออปติคัล | |||||||||||
| ความยาวคลื่นศูนย์กลาง | 8 | 10 | 8 | 0.2 | W | ||||||
| กำลังขับตามน้ำหนักจริง | 1064±10 | 980±10 | 808±10 | 640±10 | nm | ||||||
| ความกว้างสเปกตรัม (พลังงาน 90%) | <10.0 | nm | |||||||||
| การเปลี่ยนแปลงความยาวคลื่นด้วยอุณหภูมิ | 0.33 | นาโนเมตร / ℃ | |||||||||
| ไฟฟ้า | |||||||||||
| เกณฑ์ปัจจุบัน | 1.0 | 1.3 | 2.0 | 0.2 | A | ||||||
| กระแสไฟที่ใช้งาน | 11.0 | 12.5 | 10.0 | 0.5 | A | ||||||
| แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน | 1.5 | 1.6 | 1.8 | 2.3 | V | ||||||
| ประสิทธิภาพความลาดชัน | 0.8 | 0. 9 | 1.0 | 0.7 | ว/อ | ||||||
| ประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน | 50.0 | 49.0 | 43.0 | 17.0 | % | ||||||
| ไฟเบอร์* | |||||||||||
| เส้นผ่านศูนย์กลางแกนไฟเบอร์ | 400 | มม | |||||||||
| เส้นผ่านศูนย์กลางหุ้มไฟเบอร์ | 440 | มม | |||||||||
| รูรับแสงตัวเลข | 0.22 | - | |||||||||
| ความยาวไฟเบอร์ | 1-5 | m | |||||||||
| ตัวเชื่อมต่อไฟเบอร์ | - | - | |||||||||
* มีไฟเบอร์และตัวเชื่อมต่อแบบกำหนดเอง
คะแนนสัมบูรณ์
| นาที | สูงสุด | หน่วย | ||||||||||
| อุณหภูมิในการทำงาน | 15 | 35 | ℃ | |||||||||
| ความชื้นสัมพัทธ์ในการทำงาน | - | 75 | % | |||||||||
| โหมดทำความเย็น | - | ระบายความร้อนด้วยน้ำ (25 ℃) | - | |||||||||
| อุณหภูมิในการจัดเก็บ | -20 | 80 | ℃ | |||||||||
| ความชื้นสัมพัทธ์ในการจัดเก็บ | - | 90 | % | |||||||||
| อุณหภูมิการบัดกรีตะกั่ว (สูงสุด 10 วินาที) | - | 250 | ℃ | |||||||||
คำแนะนำนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นTCS ของ Han ปรับปรุงผลิตภัณฑ์อย่างต่อเนื่อง ดังนั้นอาจ
เปลี่ยนแปลงข้อกำหนดโดยไม่ต้องแจ้งให้ลูกค้าทราบ สำหรับรายละเอียด โปรดติดต่อฝ่ายขายของ Han's TCS@2023 Han's TianCheng Semiconductor Co., Ltd. สงวนลิขสิทธิ์
บริษัท ของเรา
การประชุมเชิงปฏิบัติการของเรา
ใบรับรอง
